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申请/专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
摘要：一种半导体结构及其形成方法，其中方法包括：提供基底，所述基底包括稀疏区和密集区，所述稀疏区上具有第一鳍部，所述密集区上具有第二鳍部；在所述稀疏区上形成第一隔离层，所述第一隔离层覆盖第一鳍部的部分侧壁表面；在所述密集区上形成第二隔离层，所述第二隔离层覆盖第二鳍部的部分侧壁表面，且所述第二隔离层的顶部表面低于所述第一隔离层的顶部表面；在所述第一隔离层上形成横跨所述第一鳍部的第一栅极结构，所述第一栅极结构侧壁表面具有第一侧墙，且所述第一栅极结构顶部表面齐平于第一侧墙。所述方法能够有效提高形成的半导体结构的性能。
主权项：1.一种半导体结构，其特征在于，包括：基底，所述基底包括稀疏区和密集区，所述稀疏区上具有第一鳍部，所述密集区上具有第二鳍部；位于所述稀疏区上的第一隔离层，所述第一隔离层覆盖第一鳍部的部分侧壁表面；位于所述密集区上的第二隔离层，所述第二隔离层覆盖第二鳍部的部分侧壁表面，且所述第二隔离层的顶部表面低于所述第一隔离层的顶部表面；位于所述第一隔离层上且横跨所述第一鳍部的第一栅极结构，所述第一栅极结构侧壁表面具有第一侧墙，且所述第一栅极结构顶部表面齐平于第一侧墙。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 半导体结构及其形成方法
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