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申请/专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
摘要：一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：提供基底；在基底上形成伪栅结构；在伪栅结构的侧壁上形成侧墙层；以垂直于伪栅结构的延伸方向为横向，横向刻蚀侧墙层之间的伪栅结构，在侧墙层之间形成第一开口；对第一开口的侧壁进行横向补偿刻蚀处理，用于露出侧墙层，形成第二开口；在第二开口中形成分隔层；形成分隔层后，去除伪栅结构，在侧墙层之间形成栅极开口；在栅极开口中形成栅极结构。本发明实施例中，对第一开口的侧壁进行横向补偿刻蚀处理能够露出侧墙层，从而使得分隔层直接与侧墙层接触，相应的，去除伪栅结构后，形成在分隔层两侧的栅极结构不易桥接，有利于提高半导体结构的电学性能。
主权项：1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供基底；在所述基底上形成伪栅结构；在所述伪栅结构的侧壁上形成侧墙层；以垂直于所述伪栅结构的延伸方向为横向，横向刻蚀所述侧墙层之间的伪栅结构，在所述侧墙层之间形成第一开口，形成所述第一开口的过程中，靠近所述第一开口的侧墙层的侧壁被氧化，形成氧化层；对所述第一开口的侧壁进行横向补偿刻蚀处理，用于露出所述侧墙层，形成第二开口，对所述第一开口的侧壁进行横向补偿刻蚀处理的过程中，去除所述氧化层，露出所述侧墙层；所述第二开口的形成步骤还包括：进行所述横向补偿刻蚀处理后，刻蚀所述第二开口侧壁部分厚度的所述侧墙层，在所述侧墙层中形成凹槽；在所述第二开口中形成分隔层；形成所述分隔层后，去除所述伪栅结构，在所述侧墙层之间形成栅极开口；在所述栅极开口中形成栅极结构。
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百度查询： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 半导体结构及其形成方法
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