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申请/专利权人:中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
摘要:一种半导体结构及其形成方法,形成方法包括:提供基底;在基底上形成伪栅结构;在伪栅结构的侧壁上形成侧墙层;以垂直于伪栅结构的延伸方向为横向,横向刻蚀侧墙层之间的伪栅结构,在侧墙层之间形成第一开口;对第一开口的侧壁进行横向补偿刻蚀处理,用于露出侧墙层,形成第二开口;在第二开口中形成分隔层;形成分隔层后,去除伪栅结构,在侧墙层之间形成栅极开口;在栅极开口中形成栅极结构。本发明实施例中,对第一开口的侧壁进行横向补偿刻蚀处理能够露出侧墙层,从而使得分隔层直接与侧墙层接触,相应的,去除伪栅结构后,形成在分隔层两侧的栅极结构不易桥接,有利于提高半导体结构的电学性能。
主权项:1.一种半导体结构的形成方法,其特征在于,包括:提供基底;在所述基底上形成伪栅结构;在所述伪栅结构的侧壁上形成侧墙层;以垂直于所述伪栅结构的延伸方向为横向,横向刻蚀所述侧墙层之间的伪栅结构,在所述侧墙层之间形成第一开口,形成所述第一开口的过程中,靠近所述第一开口的侧墙层的侧壁被氧化,形成氧化层;对所述第一开口的侧壁进行横向补偿刻蚀处理,用于露出所述侧墙层,形成第二开口,对所述第一开口的侧壁进行横向补偿刻蚀处理的过程中,去除所述氧化层,露出所述侧墙层;所述第二开口的形成步骤还包括:进行所述横向补偿刻蚀处理后,刻蚀所述第二开口侧壁部分厚度的所述侧墙层,在所述侧墙层中形成凹槽;在所述第二开口中形成分隔层;形成所述分隔层后,去除所述伪栅结构,在所述侧墙层之间形成栅极开口;在所述栅极开口中形成栅极结构。
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