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申请/专利权人：安徽格恩半导体有限公司
摘要：本实用新型提出了一种GaN基半导体激光器，包括从下至上依次设置的衬底、下包覆层、下波导层、有源层、上波导层、电子阻挡层、上包覆层和接触层，GaN基半导体激光器构成折射率系数梯度、电子迁移率梯度、辐射复合系数梯度、饱和电子漂移速率梯度和光子能量吸收系数梯度。本实用新型抑制上波导层和下波导层的光吸收损耗、载流子吸收损耗和折射率色散，降低内部光学吸收损耗，降低激射纵模的多模和模间变化，提升限制因子和模式增益以及相干性，改善远场FFP图像质量和光束质量因子，降低Mg激活能并提升Mg离化效率，提升空穴注入与电子阻挡层的空穴浓度，提升空穴注入有源层的注入效率和输运效率，改善电子溢流效应，提升有源层电子空穴浓度的平衡性和均匀性。
主权项：1.一种GaN基半导体激光器，包括从下至上依次设置的衬底、下包覆层、下波导层、有源层、上波导层、电子阻挡层、上包覆层和接触层，其特征在于，所述下波导层、有源层、上波导层、电子阻挡层、上包覆层和接触层之间构成折射率系数梯度、电子迁移率梯度、辐射复合系数梯度、饱和电子漂移速率梯度和光子能量吸收系数梯度。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 安徽格恩半导体有限公司 一种GaN基半导体激光器
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