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低室温电阻率高升阻比的无铅PTC热敏陶瓷材料及制备方法 

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申请/专利权人:上海材料研究所有限公司

摘要:本发明涉及一种低室温电阻率高升阻比的无铅PTC热敏陶瓷材料及制备方法,本发明通过改良钛酸钡基无铅PTC材料的配方以及调整还原气氛组成和配比,采用分段烧结的方式,来优化材料性能。其中第一次烧结过程中,通入还原性气体CO:N2=1:4来消耗氧气并制造还原气氛,从而大幅降低陶瓷的室温电阻率。在第二阶段的再氧化烧结过程中,晶界部分被氧化,使得陶瓷的升阻比大幅提升,达到可与含铅PTC相媲美的优良性能,大大减少环境污染。

主权项:1.一种低室温电阻率高升阻比的无铅PTC热敏陶瓷材料的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:首先按摩尔百分比配制99%BaTiO3、1%Bi0.5Na0.5TiO3、0.3%Y2O3、0.15%La2O3、0.2%Nb2O5、0.23%Al2O3以及0.02%MnO2的混合物B,然后按质量比为1:1:2的比例将混合物B、酒精和锆球加入球磨罐进行球磨4h,所得料浆在90℃烘干,进行造粒、成型坯体;然后将成型后的坯体进行陶瓷还原烧结,置于100ml的密闭的耐烧容器中,通入还原气氛,还原气氛是CO:N2=1:4的混合气体,控制气体流速小于200SCCM,以避免冷的气流对加热管的冲击,密闭容器从室温以200℃h的升温速率升到1280℃,保温60min,再以280℃h的降温速率降到室温,即得到半导化的陶瓷样品;将具有半导性的陶瓷样品在空气中于1060℃下再氧化180min,使晶界得到氧化而形成晶界势垒得到PTC热敏电阻陶瓷电阻材料。

全文数据:

权利要求:

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