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申请/专利权人：中芯国际集成电路制造(深圳)有限公司;中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
摘要：一种半导体检测装置及半导体表面形貌的检测方法，包括：光源模块，用于向待检测晶圆表面的待检测区发射入射光，待检测区内具有若干位置点，入射光经过待检测区反射形成反射光；多焦面测量模块，用于接收反射光，并分别对各位置点处的反射光进行多焦面处理，形成与各位置点对应的多焦面信号；图像采集模块，用于根据各多焦面信号获取与各位置点对应的拍摄图像；图像采集模块中的处理单元自不同位置点的拍摄图像中获取感兴趣区域；获取感兴趣区域的清晰度；根据清晰度获取感兴趣区域中各像素的离焦量；根据多个感兴趣区域中所以像素的离焦量获取待检测区的高度数据；根据多个待检测区对应的高度数据获取待检测晶圆表面的立体数据；提升检测效率。
主权项：1.一种半导体检测装置，其特征在于，包括：光源模块，用于向待检测晶圆表面的待检测区发射入射光，所述待检测区内具有若干位置点，所述入射光经过所述待检测区反射形成反射光；多焦面测量模块，用于接收所述反射光，并分别对各位置点处的反射光进行多焦面处理，形成与各所述位置点对应的多焦面信号；图像采集模块，用于根据各所述多焦面信号获取与各所述位置点对应的拍摄图像；所述图像采集模块中的处理单元自不同位置点的所述拍摄图像中获取感兴趣区域；获取不同位置点对应的所述感兴趣区域的清晰度；根据所述清晰度获取所述感兴趣区域中各像素的离焦量；根据多个感兴趣区域中所有像素的离焦量获取所述待检测区的高度数据；根据多个所述待检测区对应的所述高度数据获取所述待检测晶圆表面的立体数据。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中芯国际集成电路制造(深圳)有限公司 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 半导体检测装置及半导体表面形貌的检测方法
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