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申请/专利权人：日产化学株式会社
摘要：本发明的课题是提供使用高低差基板被覆用组合物制造被覆基板的制造方法和制造半导体装置的制造方法。所述光固化性高低差基板被覆用组合物，其包含：包含部分结构I和部分结构II的化合物E；溶剂F；以及交联性化合物H，并且该部分结构II包含通过环氧基与产质子化合物的反应而产生的羟基，该部分结构I为选自下述式1‑1～式1‑5中的至少一种部分结构、或由式1‑6与式1‑7或式1‑8的组合构成的部分结构，部分结构II为下述式2‑1或式2‑2的部分结构。化合物E中，以成为0≤环氧基羟基≤0.5的摩尔比包含环氧基和羟基，使部分结构II为0.01≤部分结构II部分结构I+部分结构II≤0.8的摩尔比。
主权项：1.一种被覆基板的制造方法，其包含下述工序：在具有高低差的基板上涂布光固化性高低差基板被覆用组合物的工序i；以及将该组合物进行曝光的工序ii，所述光固化性高低差基板被覆用组合物包含：包含部分结构I和部分结构II的化合物E；溶剂F；以及交联性化合物H，并且所述部分结构II包含通过环氧基与产质子化合物的反应而产生的羟基，所述部分结构I为选自下述式1-1～式1-5所示的部分结构中的至少一种部分结构、或由式1-6所示的部分结构与式1-7或式1-8所示的部分结构的组合构成的部分结构，所述部分结构II为下述式2-1或式2-2所示的部分结构， 式中，R1、R1a、R3、R5、R5a和R6a各自独立地表示选自碳原子数1～10的饱和烃基、碳原子数6～40的芳香族烃基、氧原子、羰基、硫原子、氮原子、酰胺基、氨基、或它们的组合中的基团，R2、R2a、R4和R6各自独立地表示选自氢原子、碳原子数1～10的饱和烃基、碳原子数2～10的不饱和烃基、氧原子、羰基、酰胺基、氨基、或它们的组合中的基团，R2、R2a、R4、R6表示1价基团，R1、R1a、R3、R5a和R6a表示2价基团，R5表示3价基团，R7、R8、R9、R10和R11各自独立地表示氢原子、或碳原子数1～10的饱和烃基，n表示1～10的重复单元数，虚线表示与相邻原子的化学键。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 日产化学株式会社 被覆基板的制造方法和半导体装置的制造方法
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