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申请/专利权人：上海天岳半导体材料有限公司
摘要：本申请公开了一种提高碳化硅晶棒微射流激光滚圆效率的方法及碳化硅晶棒和应用，属于碳化硅晶棒加工技术领域。该方法包括步骤：1将碳化硅晶棒固定；2采用微射流水导激光对碳化硅晶棒沿第一方向进行切割，直至微射流水导激光末端在10mm范围内的高度差高于第一阈值；3采用微射流水导激光对碳化硅晶棒沿第二方向进行切割，直至微射流水导激光末端在10mm范围内的高度差高于第二阈值；4循环进行步骤2和3，直至碳化硅晶棒滚圆结束。该方法能够利用缺陷处切割前后的高度差对积水的影响，通过反向切割来迅速去除缺陷，以使切割缝处高度再度均匀，提升切割效率的同时提高切割质量，降低加工难度。
主权项：1.一种提高碳化硅晶棒微射流激光滚圆效率的方法，其特征在于，包括下述步骤：1将碳化硅晶棒固定；2采用微射流水导激光对碳化硅晶棒沿第一方向进行切割，直至微射流水导激光末端在10mm范围内的高度差高于第一阈值；3采用微射流水导激光对碳化硅晶棒沿第二方向进行切割，所述第二方向与所述第一方向相反，直至微射流水导激光末端在10mm范围内的高度差高于第二阈值；4循环进行步骤2和3，直至碳化硅晶棒滚圆结束。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 上海天岳半导体材料有限公司 一种提高碳化硅晶棒微射流激光滚圆效率的方法及碳化硅晶棒和应用
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