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申请/专利权人：安徽北方微电子研究院集团有限公司
摘要：本发明提供一种MEMS压力芯片的制备方法，其特征在于：它包括在第一SOI晶圆上制备氧化硅图形层、将第一二SOI晶圆键合在一起，在第一SOI晶圆上设置上氧化层、压敏电阻、引线和第二腔体，在第二SOI晶圆上设有下氧化层、槽体和腔体。本发明提供的制备方案，使得MEMS压力芯片背面岛结构的尺寸可以比常规工艺减小很多倍，芯片尺寸也可以大幅缩小，同时该制备工艺还可以形成常规工艺难以形成的各种形状的梁和岛结构，结构的大小和厚度可以自由设计，实现了设计自由度最大化。
主权项：1.一种MEMS压力芯片的制备方法，其特征在于：它包括以下步骤：S1、取备一块第一SOI晶圆（1）和第二SOI晶圆（2）；S2、在第一SOI晶圆（1）上表面上通过氧化制备出图形化的氧化硅图形层（111）；S3、在第二SOI晶圆（2）上表面上通过湿法腐蚀形成槽体（211）；S4、将氧化硅图形层（111）与SOI第二晶圆（2）上表面键合在一起；S5、清除SOI晶圆（1）和第二SOI晶圆（2）的衬底硅和埋氧层；S6、在第一SOI晶圆（1）和第二SOI晶圆（2）的顶层硅上表面上均形成上、下氧化层（114、115），在上氧化层（114）上依次通过光刻、注入工艺在顶层硅上制备出一组压敏电阻（112），在上氧化层（114）上设有与每个压敏电阻（112）形成电性连接的引线（113）；S7、在第二SOI晶圆2的顶层硅的下氧化层（115）上通过湿法腐蚀形成，向上形成与槽体（211）连通的腔体（22）；S8、而后通过氧化硅图形层（111）之间的间隙继续向上湿法腐蚀在第一SOI晶圆（1）的顶层硅一端距离形成第二腔体（117），使得相邻的两个第二腔体（117）之间的第一SOI晶圆（1）顶层硅形成岛形结构（116），从而制得MEMS压力芯片。
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百度查询： 安徽北方微电子研究院集团有限公司 一种MEMS压力芯片的制备方法
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