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申请/专利权人:香港大学;北京大学东莞光电研究院;南方科技大学
摘要:本发明提供一种规模化制造超平多晶金刚石膜的方法,包括:1在表面具有金刚石籽晶的生长衬底上进行化学气相沉积生长多晶金刚石膜,其中,所述多晶金刚石膜的暴露表面为生长表面,具有第一粗糙度;与生长衬底接合的表面为掩埋表面;2用粘合剂将所述生长表面与转移衬底粘合;3将所述生长衬底去除,以使所述多晶金刚石膜的掩埋表面暴露,其中,暴露后的掩埋表面具有第二粗糙度,并且所述第二粗糙度小于第一粗糙度。本发明通过将生长的多晶金刚石膜的掩埋表面翻转过来,开发了一种新颖而简便的方法来制造价格合理、可规模化生长、超平坦且可转移的多晶金刚石膜,在实际应用中具有巨大潜力。
主权项:1.一种规模化制造超平多晶金刚石膜的方法,所述方法包括:1在表面具有金刚石籽晶的生长衬底上进行化学气相沉积,以生长多晶金刚石膜,其中,所述多晶金刚石膜的暴露表面为生长表面,其具有第一粗糙度;所述多晶金刚石膜与所述生长衬底接合的表面为掩埋表面;2使用粘合剂将所述多晶金刚石膜的生长表面与转移衬底粘合;3采用研磨、干刻蚀和湿刻蚀中的一种或多种方法将所述生长衬底去除,以使所述多晶金刚石膜的掩埋表面暴露,其中,暴露后的所述掩埋表面具有第二粗糙度,并且所述第二粗糙度小于第一粗糙度。
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