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申请/专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
摘要：一种用于形成多栅极器件的栅极堆叠件的示例性方法包括在沟道层上形成栅极电介质以及在栅极电介质上形成栅电极。形成栅电极包括在栅极电介质上形成功函数层和在功函数层上形成盖帽。形成盖帽包括在功函数层上形成金属氮化物层和在金属氮化物层上形成含硅层。形成栅电极包括在不破坏真空的情况下在盖帽的含硅层上形成无氟钨层。在含硅层上形成无氟钨层包括使含钨前体例如WCl5和含氢前体例如H2共流。本申请的实施例还提供了一种晶体管。
主权项：1.一种形成多栅极器件的栅极堆叠件的方法，所述方法包括：在沟道层上方形成栅极电介质；以及通过以下步骤在所述栅极电介质上方形成栅电极：在所述栅极电介质上方形成功函数层，在所述功函数层上方形成盖帽，其中，形成所述盖帽包括在所述功函数层上方形成金属氮化物层并且在所述金属氮化物层上方形成含硅层，和在不破坏真空的情况下在所述盖帽的所述含硅层上方形成无氟钨层，其中，在所述含硅层上方形成所述无氟钨层包括共流含钨前体和含氢前体。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 台湾积体电路制造股份有限公司 形成多栅极器件的栅极堆叠件的方法及晶体管
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