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申请/专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
摘要：本揭露关于一种光电装置及其形成方法。本揭露所描述的一些实施方式包括用于微光应用的光电装置及用于形成光电装置的技术。光电装置包括近红外光垂直腔表面发射激光装置、近红外光像素感测器及可见光像素感测器。近红外光垂直腔表面发射激光装置及近红外光像素感测器包含选择性生长的磊晶材料例如硅锗、砷化镓或另一IIIV型材料，磊晶材料改善近红外光垂直腔表面发射激光装置、近红外光像素感测器的效能。
主权项：1.一种光电装置，其特征在于，包含：一第一半导体装置，包含：一第一半导体材料的一第一层；及多个像素结构的一阵列，包含：多个可见光光电二极管的一阵列，位于该第一半导体材料的该第一层内；及多个近红外光光电二极管的一阵列，包含一第一磊晶材料且位于该第一半导体材料的该第一层内；其中所述多个近红外光光电二极管的该阵列间置于所述多个可见光光电二极管的该阵列中；一第二半导体装置，与该第一半导体装置联接，位于该第一半导体装置下方且包含：一第二半导体材料的一第二层；及一近红外发光结构的一部分，包含：一近红外光发光激光二极管，包含一第二磊晶材料且位于该第二半导体材料的该第二层内。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 台湾积体电路制造股份有限公司 光电装置及其形成方法
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