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申请/专利权人：华天科技(昆山)电子有限公司
摘要：本发明公开了一种在含多层RDL和PI钝化层封装结构的制程中PI钝化层厚度的检测方法，包括以下步骤：先在每个芯片角落分别设置量测图形并设计开口，确保每层PI钝化层厚度量测区域分别放置在不同的芯片角落，防止多层PI钝化层厚度量测区域堆叠在同一个芯片角落；随后测量量测图形开口内外的高度差，作为当前PI钝化层厚度。本发明通过在芯片角落的平坦处设计开口实现PI钝化层厚度的测量，能够实现准确测量PI钝化层的厚度，进而能够准确反应和监控真实的工艺和制程的能力及稳定性，同时可以规避在RDL上的起伏区域测量厚度的不准确性，为PI钝化层厚度的测量提供新思路。
主权项：1.一种在含多层RDL和PI钝化层封装结构的制程中PI钝化层厚度的检测方法，其特征在于，包括以下步骤：先在每个芯片角落分别设置量测图形并设计开口，确保每层PI钝化层厚度量测区域分别放置在不同的芯片角落，防止多层PI钝化层厚度量测区域堆叠在同一个芯片角落；随后测量量测图形开口内外的高度差，作为当前PI钝化层厚度。
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百度查询： 华天科技(昆山)电子有限公司 一种在含多层RDL和PI钝化层封装结构的制程中PI钝化层厚度的检测方法
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