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申请/专利权人：华中科技大学
摘要：本发明公开了一种碲半导体薄膜红外探测器件，属于红外探测技术领域，能够解决当前Te短波红外探测器难以兼顾暗电流、响应度以及CMOS兼容性的技术难题。所述碲半导体薄膜红外探测器件包括：第一电极，第一电极为透明电极；电子传输层，设置在第一电极上；碲薄膜层，设置在电子传输层上；第二电极，设置在碲薄膜层上。本发明用于制作红外探测器件。
主权项：1.一种碲半导体薄膜红外探测器件，其特征在于，包括：第一电极，所述第一电极为透明电极；电子传输层，设置在所述第一电极上；碲薄膜层，设置在所述电子传输层上；第二电极，设置在所述碲薄膜层上；所述第一电极为ITO薄膜；所述电子传输层为氧化锌层；所述第二电极为金电极。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 华中科技大学 一种碲半导体薄膜红外探测器件
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