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申请/专利权人：苏州创芯致尚微电子有限公司
摘要：本发明提供了一种调整沟槽pitch优化IGBT芯片电流密度的方法，属于IGBT芯片技术领域，包括：建立以IGBT芯片性能最优为目标的上层模型，以及以沟槽pitch参数最均匀为目标的下层模型；形成博弈模型，以IGBT芯片电流密度的均匀性为调解因子，采用Lagrange乘子法求解所述博弈模型，得到初步的最优的沟槽pitch参数；利用灰狼捕猎算法对所述初步的最优的沟槽pitch参数进行进一步优化，重新评估所述上层模型和下层模型的约束条件，并对所述博弈模型进行调整；得到最终的最优沟槽pitch参数；利用优化后的沟槽pitch参数制造IGBT芯片样品，测试其电流密度分布情况，验证优化方法的有效性。
主权项：1.一种调整沟槽pitch优化IGBT芯片电流密度的方法，其特征在于，包括以下步骤：S10、建立以IGBT芯片性能最优为目标的上层模型，以及以沟槽pitch参数最均匀为目标的下层模型；S20、分别确定所述上层模型和所述下层模型的约束条件，并建立博弈模型，包括所述上层模型和所述下层模型；S30、以IGBT芯片电流密度的均匀性为调解因子，求解所述博弈模型，得到初步的最优的沟槽pitch参数；S40、利用灰狼捕猎算法对所述初步的最优的沟槽pitch参数进行进一步优化，以进一步提高IGBT芯片电流密度的均匀性；S50、根据S40步骤的优化结果，重新评估所述上层模型和下层模型的约束条件，并对所述博弈模型进行调整；S60、重复S30～S50步骤，直至满足收敛条件，得到最终的最优沟槽pitch参数；S70、利用优化后的沟槽pitch参数制造IGBT芯片样品，测试其电流密度分布情况，验证优化方法的有效性。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 苏州创芯致尚微电子有限公司 一种调整沟槽pitch优化IGBT芯片电流密度的方法
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