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申请/专利权人：北京忆芯科技有限公司
摘要：本申请提供了通过微指令序列从NAND闪存读取数据的方案，该方案包括：依次执行NCMD微指令、多个NADDR微指令、NCMD微指令、NTM微指令以及NRD微指令来实现控制NVM芯片执行读操作；其中，通过执行NTM微指令，将介质接口控制器中单位定时器的单位计时时长设置为对应的时钟频率的值；通过执行NRD微指令，基于设置单位计时时长在耦合NVM芯片的RE信号线产生RE信号，以及从耦合NVM芯片的DQS信号线与DQ信号线上采集一个或多个数据周期的信号序列，以获取从NVM芯片读取的数据。
主权项：1.一种操作NVM芯片的方法，其特征在于，包括：执行第一NCMD微指令，在耦合所述NVM芯片的CLE与WE信号线上生成符合NVM接口协议的一个命令周期的信号序列，同时将代表读操作的第一操作码输出到耦合所述NVM芯片的DQ信号线；多次执行NADDR微指令，每次执行NADDR微指令，在耦合所述NVM芯片的ALE与WE信号线上生成符合NVM接口协议的一个地址周期的信号序列，同时将地址值输出到耦合所述NVM芯片的DQ信号线；执行第二NCMD微指令，在耦合所述NVM芯片的CLE与WE信号线上生成符合NVM接口协议的一个命令周期的信号序列，同时将代表读操作的第二操作码输出到耦合所述NVM芯片的DQ信号线；执行第一NWAIT微指令，设置提供给耦合所述NVM芯片的RE信号线在第一指定时长内为高阻态；执行第一NTM微指令，将介质接口控制器中单位定时器的单位计时时长设置为对应第一时钟频率的值；执行NRD微指令，基于所述第一时钟频率所对应的单位计时时长在耦合NVM芯片的RE信号线产生RE信号，以及从耦合NVM芯片的DQS信号线与DQ信号线上采集一个或多个数据周期的信号序列，以获取从所述NVM芯片读取的数据。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 北京忆芯科技有限公司 通过微指令序列从NAND闪存读取数据
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