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申请/专利权人：英飞凌科技奥地利有限公司
摘要：本公开涉及一种具有半导体主体2的半导体管芯1，所述半导体管芯1包括：在所述半导体主体2的第一区域11中形成的垂直晶体管器件10，所述垂直晶体管器件10包括：所述半导体主体2的第一侧2.1处的源极区15，以及所述半导体主体2的第二侧2.2处的漏极区16；所述半导体主体2的第一区域11和第二区域12之间的第一电隔离40；以及所述半导体主体2的第二区域12中的二极管50；其中所述二极管50的阴极接触部62电连接到所述垂直晶体管器件10的源极区15。
主权项：1.一种具有半导体主体2的半导体管芯1，所述半导体管芯1包括：在所述半导体主体2的第一区域11中形成的垂直晶体管器件10，所述垂直晶体管器件10包括：所述半导体主体2的第一侧2.1处的源极区15，以及所述半导体主体2的第二侧2.2处的漏极区16；所述半导体主体2的第一区域11和第二区域12之间的第一电隔离40；以及所述半导体主体2的第二区域12中的二极管50；其中所述二极管50的阴极接触部62电连接到所述垂直晶体管器件10的源极区15。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 英飞凌科技奥地利有限公司 具有垂直器件的半导体管芯
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