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申请/专利权人：武汉新芯集成电路股份有限公司
摘要：本发明提供一种半导体的制作方法，包括：提供衬底，在衬底上依次形成第一介质层、第二介质层和第三介质层，第三介质层具有初始开口；形成第一沉积层，第一沉积层至少覆盖初始开口的侧壁表面；刻蚀第一开口正下方的第二介质层，至暴露出第二介质层的侧壁；形成第二沉积层，第二沉积层至少覆盖第一开口的侧壁和暴露出的第二介质层的侧壁；刻蚀第二开口正下方的第一介质层至暴露出衬底；刻蚀衬底，形成沟槽。本发明将沉积与刻蚀工艺分离，形成第一沉积层，以缩小待刻蚀的第二介质层的宽度；形成第二沉积层，以缩小待刻蚀的第一介质层的宽度，逐层传递以缩小最终形成的沟槽的关键尺寸；以较低成本形成小尺寸的深沟槽隔离DTI，提升了成像质量。
主权项：1.一种半导体的制作方法，其特征在于，包括：提供衬底，在所述衬底上依次形成第一介质层、第二介质层和第三介质层，所述第三介质层具有初始开口；形成第一沉积层，所述第一沉积层至少覆盖所述初始开口的侧壁表面，以形成具有第一开口的第一掩膜层；以所述第一掩膜层为掩膜进行第一次刻蚀，去除所述第一开口正下方的所述第二介质层至暴露出所述第二介质层的侧壁；形成第二沉积层，所述第二沉积层至少覆盖所述第一开口的侧壁和暴露出的所述第二介质层的侧壁，以形成具有第二开口的第二掩膜层；以所述第二掩膜层为掩膜进行第二次刻蚀，去除所述第二开口正下方的第一介质层至暴露出所述衬底；去除所述第二掩膜层，以具有所述第二开口的所述第一介质层为掩膜刻蚀所述衬底，形成沟槽;其中，去除所述第二掩膜层包括：所述第二沉积层、所述第一沉积层和所述第三介质层均使用O2等离子体灰化或者剥离液浸泡去除，所述第二介质层采用草酸湿法刻蚀去除。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 武汉新芯集成电路股份有限公司 半导体的制作方法
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