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摘要：本发明属于半导体技术领域，提供一种掩模版及光刻工艺。掩模版第一图形器件区域为纳米压印光刻图形区域，为非透光图形区域，包括用于进行纳米压印的电子芯片图形；第二图形器件区域为接触式接近式光刻图形区域，为透光光罩区域，包括用于曝光的电子芯片图形；第一图形器件区域和所述第二图形器件区域集成在一块掩模版，以使纳米压印光刻过程和接触式接近式光刻能够同步进行。采用掩模版对晶圆基底进行处理，包括：采用第一图形器件区域对光刻胶进行纳米压印处理，获得纳米压印图形，采用第二图形器件区域对光刻胶进行曝光处理，获得曝光图形；使用显影液溶解去除曝光图形的光刻胶；将纳米压印图形，以及显影后的曝光图形转移到晶圆基底上。
主权项：1.一种掩模版，其特征在于，包括：第一图形器件区域：为纳米压印光刻图形区域，为非透光图形区域，包括用于进行纳米压印的电子芯片图形；第二图形器件区域：为接触式接近式光刻图形区域，为透光光罩区域，包括用于曝光的电子芯片图形；所述第一图形器件区域和所述第二图形器件区域集成在一块掩模版，分别用于形成一个电子芯片的不同区域电路图形，且，纳米压印光刻过程和接触式接近式光刻能够基于同一块掩模版同步进行。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 物元半导体技术(青岛)有限公司 掩模版及光刻工艺
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