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申请/专利权人：森科五金(深圳)有限公司
摘要：本发明公开了一种透明二氧化硅薄膜的PVD制备方法，属于PVD镀膜领域。包括步骤：S1：将基底材料固定于镀膜机真空室的内，进行加热及抽真空；S2：通入氩气，使炉内气压达到特定值；S3：对基底材料的表面进行辉光清洗；S4：从离子源通入氧气，使炉内气压达到特定值；S5：启动离子源、硅靶电源，进行镀膜；S6：结束镀膜。本申请通过离子源提高氧气的离化率，并且产生较高能量氧离子束流，作用于旁边硅靶溅射的辉光区域，硅靶溅射产生的硅原子或硅离子和氧离子碰撞化合反应几率显著增大，硅和氧结合率明显提高，从而使得二氧化硅的产额显著增大，而纯硅的产生相应降低，因此，所镀二氧化硅薄膜透明度较高，应用于AF时，可以明显降低产品变色幅度。
主权项：1.一种透明二氧化硅薄膜的PVD制备方法，其特征在于，包括步骤：S1：将基底材料固定于镀膜机真空室的内，对真空室进行加热及抽真空；S2：真空室的本底真空度达到0.005Pa后，通入氩气，使炉内气压达到特定值；S3：开启偏压电源，设定电压、占空比，对基底材料的表面进行辉光清洗；S4：调整偏压电压，从离子源通入氧气，使炉内气压达到特定值；S5：启动离子源，切换到恒压模式，离子源稳定工作一段时间后，启动硅靶电源，进行镀膜；S6：先关闭硅靶和离子源电源，再关闭氧气和氩气，结束镀膜。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 森科五金(深圳)有限公司 一种透明二氧化硅薄膜的PVD制备方法
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