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申请/专利权人：珠海镓未来科技有限公司
摘要：本发明实施例公开了一种具有条状电极结构的半导体器件及其制作方法，应用于电子器件技术领域。半导体器件主要是在外延结构的有源区外围设置隔离区，有源区内设置有条状电极，相邻的源极为不同电位的第一源极和第二源极，并在相邻的第一源极和第二源极之间设置有两个栅极，用于实现源极之间的双向导通和关断，且有源区最上端为第一源极，最下端为第二源极，并在隔离区设置有至少一圈金属环结构和至少一个离子注入区域，这样通过金属环结构和离子注入区域可以将其内的有源区得到有效地可靠性提升，从而实现了半导体器件的高可靠性。
主权项：1.一种具有条状电极结构的半导体器件，其特征在于，包括：外延结构，所述外延结构设置于衬底上，所述外延结构包括有源区和有源区外围的隔离区，其中：所述有源区包括多个源极和多个栅极，所述源极和栅极都为条状电极，所述有源区内最上端的第一源极和最下端的第二源极为不同电位的电极；所述有源区内两个相邻的第一源极和第二源极之间设置有两个栅极，在所述半导体器件导通时，所述两个栅极导通；在所述半导体器件关断时，在所述第一源极为高电位且第二源极为低电位时，关断所述两个栅极中的第二栅极，在所述第一源极为低电位且第二源极为高电位时，关断所述两个栅极中的第一栅极；所述隔离区将所述有源区内的电极包围，包括至少一圈离子注入区域和至少一圈金属环结构，所述金属环结构与所述离子注入区域间隔地设置于所述隔离区，且距离所述有源区的电极最近的是一圈离子注入区域。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 珠海镓未来科技有限公司 具有条状电极结构的半导体器件及其制作方法
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