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申请/专利权人：安徽格恩半导体有限公司
摘要：本发明提出了一种III族氮化物半导体激光器，包括从下至上依次设置的衬底、下包覆层、下波导层、有源层、上波导层、电子阻挡层和上包覆层，所述上波导层中具有禁带宽度特性、峰值速率电场特性、重空穴有效质量特性、光子能量吸收特性和辐射复合系数特性。本发明能够降低上波导层的内部光吸收损耗，并提升上波导层的量子限制效应，降低价带带阶，提升空穴注入效率和输运效率，提升激光器的峰值增益和增益均匀性，提升激光器的光功率和斜率效率，同时，降低上波导层的非辐射复合中心，抑制上波导层的自由载流子吸收损耗，增强激光器的弛豫振动频率，提升激光器的响应度，从而降低激光器的阈值电流密度。
主权项：1.一种III族氮化物半导体激光器，包括从下至上依次设置的衬底、下包覆层、下波导层、有源层、上波导层、电子阻挡层和上包覆层，其特征在于，所述上波导层中具有禁带宽度特性、峰值速率电场特性、重空穴有效质量特性、光子能量吸收特性和辐射复合系数特性；所述上波导层的禁带宽度的谷值位置往上包覆层方向的上升角度为α，所述上波导层的禁带宽度的峰值位置往有源层方向的下降角度为β，其中：30°≤α≤β≤90°；所述上波导层的峰值速率电场的谷值位置往上包覆层方向的上升角度为γ，所述上波导层的重空穴有效质量的谷值位置往上包覆层方向的上升角度为θ，所述上波导层的光子能量吸收系数的谷值位置往上包覆层方向的上升角度为δ，所述上波导层的辐射复合系数的峰值位置往上包覆层方向的下降角度为σ，其中：15°≤σ≤θ≤γ≤δ≤90°；所述上波导层的峰值速率电场的峰值位置往有源层方向的下降角度为所述上波导层的重空穴有效质量的峰值位置往有源层方向的下降角度为ψ，所述上波导层的光子能量吸收系数的峰值位置往有源层方向的下降角度为μ，所述上波导层的辐射复合系数的谷值位置往有源层方向的上升角度为υ，其中：
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权利要求：
百度查询： 安徽格恩半导体有限公司 一种III族氮化物半导体激光器
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