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申请/专利权人：武汉新芯集成电路股份有限公司
摘要：本申请公开了一种半导体器件及其制程方法、半导体芯片及其制程方法。该半导体器件的制程方法包括：提供半导体衬底，其中，半导体衬底包括第一类型阱区和第二类型阱区；在半导体衬底上形成栅极置换层并图案化栅极置换层以定义栅极区域；在栅极区域形成栅极；对第一类型阱区对应的栅极进行预掺杂以形成第一类型栅极，保留第二类型阱区对应的栅极以作为第二类型栅极；去除残留的栅极置换层。该制程方法能够有效提高形成的第一类型栅极的性能，并保证形成的第一类型栅极和第二类型栅极的形貌的完整性以及关键尺寸的均匀性较好。
主权项：1.一种半导体器件的制程方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，其中，所述半导体衬底包括第一类型阱区和第二类型阱区；在所述半导体衬底上形成栅极置换层并图案化所述栅极置换层以定义栅极区域；所述栅极置换层包括第一栅极置换层和第二栅极置换层，其中，所述第一栅极置换层采用氮化硅材质制成，所述第二栅极置换层形成在所述第一栅极置换层上，所述第二栅极置换层采用氮氧化硅材质制成；在所述栅极区域形成栅极；对所述第一类型阱区对应的所述栅极进行预掺杂以形成第一类型栅极，保留所述第二类型阱区对应的所述栅极以作为第二类型栅极；去除残留的所述栅极置换层。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 武汉新芯集成电路股份有限公司 半导体器件及其制程方法、半导体芯片及其制程方法
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