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申请/专利权人：北京晶亦精微科技股份有限公司
摘要：本发明涉及一种晶圆吸附方法。晶圆吸附方法包括：控制所述抛光头和所述抛光盘停止转动，调节所述保持环的压力为第一压力，释放所述内部支撑环的压力和所述压力膜的压力至0psi；调节所述保持环的压力和所述内部支撑环的压力为第二压力，调节所述压力膜的压力为预设负压，所述抛光头开始吸附所述晶圆；释放所述保持环的压力并调节至所述预设负压，所述抛光头吸附所述晶圆抬起。本发明提供的晶圆吸附方法可以，提高晶圆被吸附的成功率，晶圆被吸附成功率高达100％，从而有效的提高设备的稳定性，进而提高工艺效率和产品良率。
主权项：1.一种晶圆吸附方法，用于CMP抛光机结束研磨工艺后，吸取抛光垫上的晶圆；所述CMP抛光机包括：抛光盘；抛光垫，位于所述抛光盘一侧；抛光头，远离所述抛光盘，与所述抛光垫相对设置；所述抛光头包括保持环、内部支撑环、压力膜、压力调节装置和进气装置；所述内部支撑环位于所述抛光头朝向所述抛光垫的一侧的内圈；所述保持环位于所述抛光头朝向所述抛光垫的一侧的外圈，所述保持环与所述内部支撑环同心设置，并包围所述内部支撑环；所述压力膜位于所述内部支撑环朝向所述晶圆的一侧；所述压力调节装置位于所述保持环背向所述抛光垫的一侧；所述进气装置位于所述压力调节装置背向所述保持环的一侧；所述保持环、所述内部支撑环与所述压力膜形成半包围区域，所述晶圆适于设置于所述抛光垫背向所述抛光盘的一侧，并位于所述半包围区域内侧；其特征在于，所述晶圆吸附方法包括：控制所述抛光头和所述抛光盘停止转动，调节所述保持环的压力为第一压力，释放所述内部支撑环的压力和所述压力膜的压力至0psi；调节所述保持环的压力和所述内部支撑环的压力为第二压力，调节所述压力膜的压力为预设负压，所述抛光头开始吸附所述晶圆；释放所述保持环的压力并调节至所述预设负压，所述抛光头吸附所述晶圆抬起。
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百度查询： 北京晶亦精微科技股份有限公司 一种晶圆吸附方法
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