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申请/专利权人：山东云海国创云计算装备产业创新中心有限公司
摘要：本申请实施例提供了一种半导体结构的制作方法、半导体结构以及半导体器件，该方法包括：提供基底结构，基底结构具有多个凹槽，基底结构的材料至少包括氮化镓；在基底结构的凹槽的表面上形成量子阱结构，量子阱结构至少包括堆叠结构，堆叠结构包括交替设置的第一材料层和第二材料层，一个第一材料层与凹槽的表面直接接触，第一材料层的材料至少包括氮化镓，第二材料层的材料至少包括氮化铟镓。通过本申请，解决了相关技术中氮化铟材料的光吸收率较低的问题，进而达到了提高氮化镓材料的光吸收率的效果。
主权项：1.一种半导体结构的制作方法，其特征在于，包括：提供基底结构，其中，所述基底结构具有多个凹槽，所述基底结构的材料至少包括氮化镓；在所述基底结构的所述凹槽的表面上形成量子阱结构，其中，所述量子阱结构至少包括堆叠结构，所述堆叠结构包括交替设置的第一材料层和第二材料层，其中，一个所述第一材料层与所述凹槽的表面直接接触，所述第一材料层的材料至少包括氮化镓，所述第二材料层的材料至少包括氮化铟镓，提供基底结构，包括：提供衬底，其中，所述衬底的材料至少包括氮化镓；在所述衬底的表面上形成氧化层；在所述氧化层远离所述衬底的表面上形成掩膜层，所述掩膜层为AAO薄膜；去除部分所述掩膜层、部分所述氧化层以及部分所述衬底，以使所述衬底的部分表面裸露，形成所述基底结构，提供衬底，包括：提供基底层，其中，所述基底层的材料至少包括蓝宝石；在所述基底层的表面上形成形核层，其中，所述形核层的材料至少包括氮化镓；在所述形核层远离所述基底层的表面上形成第一外延层，其中，所述第一外延层的材料至少包括氮化镓。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 山东云海国创云计算装备产业创新中心有限公司 半导体结构的制作方法、半导体结构以及半导体器件
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