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申请/专利权人：先导薄膜材料(广东)有限公司
摘要：本发明提供高纯、高密度GaTe靶材的制备方法，包括：用高纯Ga和Te颗粒为原料，于手套箱中装入石英管，将石英管抽真空后进行焊接密封；将石英管放入摇摆炉固定好后进行熔炼，熔炼完成后，在合金熔点以上将石英管取出后进行急冷，得到GaTe合金锭；将GaTe合金锭破碎成合金颗粒，然后于手套箱内破碎成粉末，经筛粉后得到GaTe合金粉；将合金粉进行预压得到合金坯体，再进行真空热压烧结得到GaTe合金毛坯，经加工后得到GaTe合金靶材。所制备的靶材致密度高、纯度高、呈单一相、成分均匀性好、氧含量低，能很好地满足需求，克服了现有方法制备GaTe靶材产生杂相等问题。
主权项：1.一种高纯、高密度GaTe靶材的制备方法，其特征在于，包括：S1、用高纯Ga颗粒、Te颗粒为原料，将原料于手套箱中装入石英管内，并将石英管抽真空后进行焊接密封；所述焊接密封包括：将石英管在100~200℃保温条件下抽真空至10-2~10-3Pa后，采用氢氧混合气进行封管焊接，冷却后再次检测石英管的密封性，以确保石英管密封性完好；S2、将焊接好的石英管放入摇摆炉固定好，进行熔炼，熔炼完成后，在合金熔点以上将石英管取出后进行急冷，得到GaTe合金锭；所述急冷的冷却速度为10~100℃s；S3、GaTe合金锭经洁净处理后，将GaTe合金锭破碎成合金颗粒，然后将合金颗粒于手套箱内破碎成粉末，经筛粉后得到所需粒度的GaTe合金粉；S4、将所得GaTe合金粉放入模具中，进行预压，得到GaTe合金坯体，再进行真空热压烧结，得到GaTe合金毛坯，经研磨和加工后得到GaTe合金靶材。
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权利要求：
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