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申请/专利权人：华羿微电子股份有限公司

摘要：本发明公开了一种一步成型SplitGateMOSFET的制备方法，涉及半导体功率器件技术领域。用于解决现有的MOSFET器件制备为了避免在外围terminaltrench的lineroxide上有gatepoly残留，存在增加制备步骤导致制备成本增加的问题。包括：在第一沟槽内和第二沟槽内依次形成linerOxide层和sourcepoly层；所述第二沟槽的顶部两侧、第一个沟槽的顶部以及第一沟槽的顶部两侧形成第二光刻胶层，通过刻蚀方法对所述第二沟槽内的所述sourcepoly层、linerOxide层进行刻蚀；将所述第二光刻胶层去取，通过刻蚀方法对所述linerOxide层进行刻蚀；在第二沟槽内、所述第二沟槽的顶部两侧、所述第一沟槽的顶部以及所述第一沟槽的顶部两侧形成gateoxide层和gatepoly层。

主权项：1.一种一步成型SplitGateMOSFET器件的制备方法，其特征在于，包括：在第一沟槽内和第二沟槽内依次形成linerOxide层和sourcepoly层；其中，第一沟槽位于第一导电外延层内的terminal区域，第二沟槽位于第一导电外延层内的cell区域，第一导电外延层上设置包括有第一Oxide层和第一光刻胶层；在所述第二沟槽的顶部两侧、第一个沟槽的顶部以及第一沟槽的顶部两侧形成第二光刻胶层，通过刻蚀方法，对位于所述第二沟槽内的所述sourcepoly层进行第一次刻蚀，以使位于所述第二沟槽内的所述sourcepoly层的上表面低于位于所述第二沟槽内的linerOxide层的上表面；通过刻蚀方法，对位于所述第二沟槽内的linerOxide层进行第一次刻蚀，以使位于所述第二沟槽内的未被刻蚀的linerOxide层的上表面低于位于所述第二沟槽内的sourcepoly层的上表面；通过刻蚀方法对位于所述第二沟槽内的所述sourcepoly层进行第二次刻蚀，以使位于所述第二沟槽内的所述sourcepoly层的上表面低于位于所述第二沟槽内的未被刻蚀的linerOxide层的上表面；将所述第二光刻胶层去取，通过刻蚀方法对所述linerOxide层进行刻蚀；在第二沟槽内、所述第二沟槽的顶部两侧、所述第一沟槽的顶部以及所述第一沟槽的顶部两侧形成gateoxide层和gatepoly层；通过两次离子注入，在位于所述第一导电外延层内形成第二导电类型体区和第一导电类型源区；在所述第一导电外延层上方形成隔离氧化层，并在所述隔离氧化层上制备接触孔。

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