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申请/专利权人:北京大学
摘要:本申请提供一种堆叠晶体管的栅极互连方法、堆叠晶体管、器件及设备。其中,栅极互连方法包括:在衬底上形成有源结构,有源结构包括第一有源结构和第二有源结构,第一有源结构相对于第二有源结构远离衬底;基于第一有源结构,形成第一晶体管;对第一晶体管进行倒片并去除衬底,以暴露第二有源结构;基于第二有源结构,形成第二晶体管;在形成第一晶体管和或形成第二晶体管之后,在第一区域内形成互连结构,以连接第一晶体管的第一栅极结构与第二晶体管的第二栅极结构,第一区域位于有源结构与堆叠晶体管一侧的边界之间。
主权项:1.一种堆叠晶体管的栅极互连方法,其特征在于,包括:在衬底上形成有源结构,所述有源结构包括第一有源结构和第二有源结构,所述第一有源结构相对于所述第二有源结构远离所述衬底;基于所述第一有源结构,形成第一晶体管;对所述第一晶体管进行倒片并去除所述衬底,以暴露所述第二有源结构;基于所述第二有源结构,形成第二晶体管;在形成所述第一晶体管和或形成所述第二晶体管之后,在第一区域内形成互连结构,以连接所述第一晶体管的第一栅极结构与所述第二晶体管的第二栅极结构,所述第一区域位于所述有源结构与堆叠晶体管一侧的边界之间。
全文数据:
权利要求:
百度查询: 北京大学 堆叠晶体管的栅极互连方法、堆叠晶体管、器件及设备
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