龙图腾网&IPTOP
- 微信扫码登录
- 账号密码登录
- 短信登录/注册
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
申请/专利权人：长鑫存储技术有限公司
摘要：本公开是关于半导体技术领域，涉及一种半导体结构及其形成方法、存储器，本公开的形成方法包括：提供衬底；在衬底上形成多个间隔分布的位线结构以及位于位线结构的表面的第一源漏层；在第一源漏层上形成字线结构，字线结构具有多个分别露出各第一源漏层的通孔；在通孔的内壁形成栅氧化层；在具有栅氧化层的通孔内形成沟道层；在字线结构上形成多个间隔分布的第二源漏层，各第二源漏层通过沟道层分别与对应的第一源漏层连接；在第二源漏层的表面形成存储节点接触塞。本公开的形成方法可简化工艺，降低成本。
主权项：1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底；在所述衬底上形成多个间隔分布的位线结构以及位于所述位线结构的表面的第一源漏层；在所述第一源漏层上形成字线结构，所述字线结构具有多个分别露出各所述第一源漏层的通孔；在所述通孔的内壁形成栅氧化层；在具有所述栅氧化层的所述通孔内形成沟道层；在所述字线结构上形成多个间隔分布的第二源漏层，各所述第二源漏层通过所述沟道层分别与对应的所述第一源漏层连接；在所述第二源漏层的表面形成存储节点接触塞。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 长鑫存储技术有限公司 半导体结构及其形成方法、存储器
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号