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申请/专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
摘要：一种半导体结构及其形成方法，提供衬底；在所述衬底上形成若干相互分立的主鳍部与伪鳍部，所述伪鳍部包括第一区以及位于所述第一区上的第二区，所述第二区的材料与所述主鳍部的材料不同，所述第二区的材料与所述第一区的材料不同；在所述衬底上形成隔离层，所述隔离层覆盖所述主鳍部的部分侧壁，所述隔离层覆盖所述第一区侧壁；在形成所述隔离层之后，刻蚀去除所述第二区。通过形成相互分立的主鳍部与伪鳍部，保证了在刻蚀过程中刻蚀环境的一致性，防止形成的主鳍部底部尺寸因刻蚀环境的改变而变大；另外通过刻蚀工艺对不同材料的刻蚀选择性，去除部分伪鳍部，避免了采用光刻图形化工艺所带来的缺陷，进而提升最终形成的半导体结构的性能。
主权项：1.一种半导体结构形成的方法，其特征在于，包括：提供衬底；在所述衬底上形成若干相互分立的主鳍部与伪鳍部，所述伪鳍部包括第一区以及位于所述第一区上的第二区，所述第二区的材料与所述主鳍部的材料不同，所述第二区的材料与所述第一区的材料不同；在所述衬底上形成隔离层，所述隔离层覆盖所述主鳍部的部分侧壁，所述隔离层覆盖所述第一区侧壁；在形成所述隔离层之后，利用刻蚀工艺对不同材料的刻蚀选择性，刻蚀去除所述第二区。
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百度查询： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 半导体结构及其形成方法
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