龙图腾网&IPTOP
- 微信扫码登录
- 账号密码登录
- 短信登录/注册
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
申请/专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
摘要：一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：提供基底，基底内形成有导电结构；形成覆盖基底的介质层；在介质层中形成露出导电结构的互连开口，沿介质层的厚度方向上，互连开口包括多个相连通的子开口，互连开口至少包括一组开口组，开口组由相邻的两个子开口构成，且在开口组中，远离基底一侧的子开口的横向尺寸小于另一个子开口的横向尺寸；在互连开口中形成互连结构。形成互连结构的制程包括对互连开口中的导电材料进行研磨处理的步骤，由于远离基底一侧的子开口的横向尺寸小于另一个子开口的横向尺寸，因此在研磨处理的过程中，在开口组的作用下，互连开口侧壁能够提供指向导电材料侧壁的作用力，降低导电材料和介质层发生分层问题的概率。
主权项：1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供基底，所述基底内形成有导电结构，所述基底露出所述导电结构的顶面；形成覆盖所述基底的介质层，沿所述介质层的顶面指向底面的方向上，所述介质层包括多层位于不同厚度区域的子介质层，且所述多层子介质层在同一刻蚀条件下的被刻蚀速率均不同，所述多层子介质层均用于实现互连结构之间的电隔离，所述多层子介质层的材料中的元素均相同，所述元素的含量比例均不同且逐渐变化；采用同一沉积工艺形成所述介质层，且在进行所述沉积工艺的过程中，调节所述沉积工艺的工艺参数，适于依次连续形成具有不同耐刻蚀度的所述子介质层，所述工艺参数包括反应气体的流量；在所述介质层中形成露出所述导电结构的互连开口，沿所述介质层的厚度方向上，所述互连开口包括多个相连通的子开口，所述子开口与所述子介质层一一对应，其中，所述互连开口至少包括一组开口组，所述开口组由相邻的两个所述子开口构成，且在所述开口组中，远离所述基底一侧的所述子开口的横向尺寸小于另一个所述子开口的横向尺寸，所述互连开口的横截面形状为梯形；在所述互连开口中形成电连接所述导电结构的互连结构。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 半导体结构及其形成方法
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号