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申请/专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
摘要：公开了用于3D存储器阵列的布线布置及其形成方法。在实施例中，半导体器件包括：存储器阵列，包括接触第一字线和第二字线的栅极介电层；以及氧化物半导体OS层，接触源极线和位线，栅极介电层设置在OS层和第一字线以及第二字线的每个之间；互连结构，位于存储器阵列上方，第二字线和互连结构之间的距离小于第一字线和互连结构之间的距离；以及集成电路管芯，接合至与存储器阵列相对的互连结构，集成电路管芯通过电介质至电介质接合和金属至金属接合而接合至互连结构。本申请的实施例还涉及半导体器件及其形成方法。
主权项：1.一种半导体器件，包括：存储器阵列，包括：栅极介电层，接触第一字线和第二字线；氧化物半导体层，直接接触源极线和位线二者；以及介电材料，位于所述源极线和所述位线之间，其中，所述栅极介电层设置在所述氧化物半导体层和所述第一字线以及所述第二字线的每个之间，所述氧化物半导体层设置在所述栅极介电层和所述介电材料之间，其中，所述栅极介电层延伸至所述氧化物半导体层和所述介电材料下方、且直接接触所述氧化物半导体层的底面和所述介电材料的底面；互连结构，位于所述存储器阵列上方，其中，所述第二字线和所述互连结构之间的距离小于所述第一字线和所述互连结构之间的距离；以及集成电路管芯，接合至与所述存储器阵列相对的所述互连结构，其中，所述集成电路管芯通过电介质至电介质接合和金属至金属接合而接合至所述互连结构。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 台湾积体电路制造股份有限公司 半导体器件及其形成方法
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