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具有结构稳定性的半导体器件 

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申请/专利权人:爱思开海力士有限公司

摘要:本公开提供一种具有结构稳定性的半导体器件。该半导体器件包括:垂直交替的导电层和绝缘层的叠层;穿过叠层的支撑体,支撑体中的每个具有等边多边形的横截面,支撑体在第一方向和第二方向上等距离地布置,第一方向和第二方向彼此交叉;以及,分别电耦接到导电层的接触插塞,接触插塞中的每个设置在支撑体中的至少两个相邻的支撑体之间。

主权项:1.一种半导体器件,包括:叠层,所述叠层包括交替层叠的导电层和绝缘层,其中,所述叠层具有阶梯形状,在第一方向和与第一方向交叉的第二方向上所述阶梯形状的高度递减,并且所述阶梯形状包括第一边界和第二边界,所述第一边界位于沿第一方向相邻的阶梯之间,所述第二边界位于沿第二方向相邻的阶梯之间;支撑体,所述支撑体穿过所述叠层,所述支撑体在第一方向和第二方向上等距离地布置;第一接触插塞,所述第一接触插塞与所述导电层之中的第一导电层电耦接,以及第二接触插塞,所述第二接触插塞与所述导电层之中的第二导电层电耦接,其中,所述第二接触插塞沿第二方向与所述第一接触插塞相邻,所述第二边界介于所述第一接触插塞与所述第二接触插塞之间,其中,第一组支撑体围绕所述第一接触插塞,所述第一接触插塞位于所述第一组的中心区处,第二组支撑体围绕所述第二接触插塞,并且所述第二接触插塞位于所述第二组的中心区处,其中,沿第二方向彼此相邻的所述第一组的两个支撑体和沿第二方向彼此相邻的所述第二组的两个支撑体与所述第一边界重叠,并且其中,所述第一边界沿所述第一接触插塞和所述第二接触插塞被布置在的第二方向限定。

全文数据:

权利要求:

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