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一种multi-finger MOS器件版图的EM和IR分析方法 

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申请/专利权人:北京华大九天科技股份有限公司

摘要:一种multi‑fingerMOS器件版图的EM和IR分析方法,包括以下步骤:获取原始版图信息;对栅极图层的几何图形进行矩形化处理;利用源极图层、漏极图层的几何图形过滤栅极图层的矩形;根据栅极图层图形的宽长比确定处理后MOS器件的方向;计算处理后MOS器件的宽度以及对应阵列的行数和列数,得到MOS器件阵列的坐标位置信息;删除原始的multi‑fingerMOS器件区域,根据所述MOS器件阵列的坐标位置信息生成新的MOS器件阵列;对含有新的MOS器件阵列的版图提取寄生参数信息;根据所述寄生参数信息,进行EM和IR分析,输出分析结果。本发明的方法极大简化了对multi‑fingerMOS器件版图做精确EM和IR分析的流程,无需人工修正版图,即可完成对multi‑fingerMOS器件版图的EM和IR的精确分析。

主权项:1.一种multi-fingerMOS器件版图的EM和IR分析方法,包括以下步骤:获取原始版图信息;对栅极图层的几何图形进行矩形化处理;利用源极图层、漏极图层的几何图形过滤栅极图层的矩形;根据栅极图层图形的宽长比确定处理后MOS器件的方向;计算处理后MOS器件的宽度以及对应阵列的行数和列数,得到MOS器件阵列的坐标位置信息;删除原始的multi-fingerMOS器件区域,根据所述MOS器件阵列的坐标位置信息生成新的MOS器件阵列;对含有所述新的MOS器件阵列的版图提取寄生参数信息;根据所述寄生参数信息,进行EM和IR分析,输出分析结果;所述利用源极图层、漏极图层的几何图形过滤栅极图层的矩形的步骤,进一步地包括:如果栅极图层几何图形的两侧不存在与之相交或相邻的源极图形和漏极图形,则过滤掉所述栅极图层的几何图形,否则予以保留。

全文数据:

权利要求:

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