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申请/专利权人：恩智浦美国有限公司
摘要：一种半导体装置包括：半导体衬底，其具有上表面和沟道；介电层，其设置在所述上表面上方；以及扩散阻挡层，其设置在所述介电层上方。所述扩散阻挡层被图案化以包括多个区段。栅极电极形成于所述半导体衬底上方并且电耦合到所述沟道。漏极开口与所述栅极电极的第一侧在空间上分离。也电耦合到所述沟道的漏极电极包括形成于所述漏极开口内的第一部分，以及上覆于所述扩散阻挡层的区段的第二部分。所述栅极电极与所述漏极电极之间的导电场板包括场板层和所述扩散阻挡层的另一区段。所述漏极电极和所述场板层可由同一导电层的部分形成。
主权项：1.一种半导体装置，其特征在于，包括：半导体衬底，其包括上表面和沟道；第一介电层，其设置在所述半导体衬底的所述上表面上方；扩散阻挡层，其设置在所述第一介电层上方，其中所述扩散阻挡层被图案化以包括多个区段，所述多个区段包括至少第一区段和第二区段；栅极电极，其形成于所述半导体衬底上方，其中所述栅极电极延伸穿过所述第一介电层并且电耦合到所述沟道；漏极开口，其延伸穿过所述第一介电层，其中所述漏极开口与所述栅极电极的第一侧在空间上分离；漏极电极，其电耦合到所述沟道，其中所述漏极电极包括形成于所述漏极开口内的第一部分和上覆于所述扩散阻挡层的所述多个区段中的所述第二区段的第二部分；以及导电场板，其处于所述栅极电极与所述漏极电极之间，其中所述导电场板包括所述扩散阻挡层的所述多个区段中的所述第一区段。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 恩智浦美国有限公司 具有扩散阻挡层的半导体装置和其制造方法
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