Document
拖动滑块完成拼图
首页 专利交易 科技果 科技人才 科技服务 国际服务 商标交易 会员权益 IP管家助手 需求市场 关于龙图腾
 /  免费注册
到顶部 到底部
清空 搜索
  • 我要求购
  • 我要出售
官方微信客服

官方微信客服
官方微信客服

官方微信客服
最新专利技术
  • 半导体器件及其制备方法、存储器、存储系统
    半导体器件及其制备方法、存储器、存储系统_长江存储科技有限责任公司_202310856226.0
    本申请提供一种半导体器件及其制备方法、存储器、存储系统，该半导体器件包括铁电层组，铁电层组包括沿第一方向交叠设置的至少一铁电层及至少一反铁电层，本申请通过使用交叠设置的铁电层和反铁电层，减小了铁电层组的矫顽电场，改善了半导体器件的抗疲劳性，...
    2025-02-12
  • 半导体器件及其制备方法、存储器、存储系统
    半导体器件及其制备方法、存储器、存储系统_长江存储科技有限责任公司_202310858470.0
    本申请提供一种半导体器件及其制备方法、存储器、存储系统，半导体器件包括：铁电层组，包括沿第一方向交叠设置的多个铁电层及至少一介质层，介质层间隔于相邻铁电层之间，至少一铁电层的材料包括铁电材料，介质层的材料与铁电层的材料相异，本申请提供的半导...
    2025-02-12
  • 自对准埋入式栅极金属IGBT及制造方法
    自对准埋入式栅极金属IGBT及制造方法_苏州聚谦半导体有限公司_202310854466.7
    本发明公开了一种自对准埋入式栅极金属IGBT及制造方法，包括设于衬底正面上的半导体层，设于半导体层中的体区和漂移区，设于体区中的源区；设于源区上方的半导体层表面上的一对第一侧墙；设于一对第一侧墙之间的半导体层中且穿过源区的沟槽栅；埋入在一对...
    2025-02-12
  • 自对准双外延超结IGBT及制造方法
    自对准双外延超结IGBT及制造方法_苏州聚谦半导体有限公司_202310854476.0
    本发明公开了一种自对准双外延超结IGBT及制造方法，包括设于衬底正面上的半导体层，半导体层中设有沿半导体层表面分布的多个体区，每个体区中设有一个位于半导体层表面以下的源区；自对准设于每个源区上方的半导体层表面上的一对第一侧墙；自每对第一侧墙...
    2025-02-12
  • 自对准离子植入IGBT及制造方法
    自对准离子植入IGBT及制造方法_苏州聚谦半导体有限公司_202310854549.6
    本发明公开了一种自对准离子植入IGBT及制造方法，包括在衬底正面上形成具有漂移区和体区的半导体层，在体区中形成多个第一离子植入区，在每个第一离子植入区上的半导体层表面上形成一对第一侧墙，在每对第一侧墙之间形成穿过第一离子植入区的沟槽栅，在相...
    2025-02-12
  • 自对准屏蔽栅双外延超结IGBT及制造方法
    自对准屏蔽栅双外延超结IGBT及制造方法_苏州聚谦半导体有限公司_202310855024.4
    本发明公开了一种自对准屏蔽栅双外延超结IGBT及制造方法，包括：设于衬底上的半导体层，半导体层中设有自表面向衬底方向分布的源区和体区；设于半导体层表面上的多对侧墙；设于每对侧墙之间的半导体层表面以下的栅沟槽，栅沟槽中设有栅氧层和栅极；设于相...
    2025-02-12
  • 自对准双外延超结深槽IGBT及制造方法
    自对准双外延超结深槽IGBT及制造方法_苏州聚谦半导体有限公司_202310855027.8
    本发明公开了一种自对准双外延超结深槽IGBT及制造方法，包括：设于衬底上的半导体层，半导体层中设有自表面向衬底方向分布的源区和体区；设于半导体层表面上的多对侧墙；设于每对侧墙之间的半导体层表面以下的栅沟槽，栅沟槽中设有栅氧层和栅极；设于相邻...
    2025-02-12
  • 一种绝缘栅双极型晶体管IGBT的制备方法及绝缘栅双极型晶体管IGBT
    一种绝缘栅双极型晶体管IGBT的制备方法及绝缘栅双极型晶体管IGBT_上海韦尔半导体股份有限公司_202310854410.1
    本发明实施例提供了一种绝缘栅双极型晶体管IGBT的制备方法及绝缘栅双极型晶体管IGBT，本申请实施例通过只在沟槽的内壁沉积多晶硅，这样可以使距离沟槽底部预设距离的衬底中形成具有第二掺杂类型的第三注入区，进而提高IGBT的耐压；同时在具有第一...
    2025-02-12
  • 自对准双外延超结MOSFET及制造方法
    自对准双外延超结MOSFET及制造方法_苏州聚谦半导体有限公司_202310854462.9
    本发明公开了一种自对准双外延超结MOSFET及制造方法，包括：设于衬底上的半导体层，半导体层中设有沿半导体层表面分布的多个体区，每个体区中设有一个位于半导体层表面以下的源区；自对准设于每个源区上方的半导体层表面上的一对第一侧墙；自每对第一侧...
    2025-02-12
  • 自对准离子植入MOSFET及制造方法
    自对准离子植入MOSFET及制造方法_苏州聚谦半导体有限公司_202310854481.1
    本发明公开了一种自对准离子植入MOSFET及制造方法，包括：在衬底上形成具有漂移区和体区的半导体层，在体区中形成多个第一离子植入区，在每个第一离子植入区上的半导体层表面上形成一对第一侧墙，在每对第一侧墙之间形成穿过第一离子植入区的沟槽栅，在...
    2025-02-12
  • 自对准双外延超结深槽MOSFET及制造方法
    自对准双外延超结深槽MOSFET及制造方法_苏州聚谦半导体有限公司_202310854611.1
    本发明公开了一种自对准双外延超结深槽MOSFET及制造方法，包括：设于衬底上的半导体层，半导体层中设有自表面向衬底方向分布的源区和体区；设于半导体层表面上的多对侧墙；设于每对侧墙之间的半导体层表面以下的栅沟槽，栅沟槽中设有栅氧层和栅极；设于...
    2025-02-12
  • 自对准屏蔽栅双外延超结MOSFET及制造方法
    自对准屏蔽栅双外延超结MOSFET及制造方法_苏州聚谦半导体有限公司_202310855080.8
    本发明公开了一种自对准屏蔽栅双外延超结MOSFET及制造方法，包括：设于衬底上的半导体层，半导体层中设有自表面向衬底方向分布的源区和体区；设于半导体层表面上的多对侧墙；设于每对侧墙之间的半导体层表面以下的栅沟槽，栅沟槽中自下而上设有屏蔽栅和...
    2025-02-12
  • 自对准埋入式栅极金属MOSFET及制造方法
    自对准埋入式栅极金属MOSFET及制造方法_苏州聚谦半导体有限公司_202310855089.9
    本发明公开了一种自对准埋入式栅极金属MOSFET及制造方法，包括：设于衬底上的半导体层，半导体层中自表面向衬底方向依次设有体区和漂移区，体区中设有位于半导体层表面以下的源区；设于源区上方的半导体层表面上的一对第一侧墙；设于一对第一侧墙之间的...
    2025-02-12
  • 薄膜阵列的制备方法
    薄膜阵列的制备方法_北京京东方技术开发有限公司_202310855064.9
    本公开提供一种薄膜阵列的制备方法，属于薄膜晶体管领域。本公开提供的一种薄膜阵列的制备方法，包括提供一第一衬底，所述第一衬底具有沿其厚度方向相对设置的第一表面和第二表面；提供一第二衬底，所述第二衬底具有沿其厚度方向相对设置的第一表面和第二表面...
    2025-02-12
  • 电子装置
    电子装置_群创光电股份有限公司_202310854022.3
    本公开提供一种电子装置，包含：基板、多条第一信号线、多条第一驱动线、以及多条第一传导线。基板包含作动区。多条第一信号线设置于该作动区，且沿第一方向延伸。多条第一驱动线设置于该作动区，且沿第二方向延伸。第一方向与该第二方向不同。多条第一驱动线...
    2025-02-12
  • X射线成像系统以及X射线成像方法
    X射线成像系统以及X射线成像方法_通用电气精准医疗有限责任公司_202310847415.1
    本申请提供了一种X射线成像系统以及X射线成像方法。所述X射线成像系统包括相机单元、显示单元、输入单元、曝光组件以及控制单元，相机单元用于获取被检测对象的实时光学图像，显示单元包括用户界面，用户界面用于显示实时光学图像，且在实时光学图像上还包...
    2025-02-12
  • 一种双功能碳基固体酸催化剂的构筑及其在双相体系中将葡萄糖高效转化为5-HMF中的应用
    一种双功能碳基固体酸催化剂的构筑及其在双相体系中将葡萄糖高效转化为5-HMF中的应用_南京林业大学_202310847877.3
    本发明公开了一种双功能碳基固体酸催化剂的构筑及其在双相体系中将葡萄糖高效转化为5‑HMF中的应用。通过以碱木质素为碳源，氯化钾为盐模板，对甲苯磺酸和九水合硝酸铝分别为布朗斯特德和路易斯酸催化活性位点前驱体制备得到双功能碳基固体酸催化剂。双功...
    2025-02-12
  • 一种太阳能电池的激光刻线系统和方法
    一种太阳能电池的激光刻线系统和方法_成都中建材光电材料有限公司_202310850588.9
    本发明公开了一种太阳能电池的激光刻线系统，所述激光刻线系统包括固定装置、激光发射装置、图像采集装置、控制系统和实时变焦系统；所述固定装置用于将待刻线的太阳能电池基板固定在预设位置，所述激光发射装置用于提供激光，所述图像采集装置用于采集太阳能...
    2025-02-12
  • 用于车辆的红绿灯状态估计方法、系统、计算设备及车辆
    用于车辆的红绿灯状态估计方法、系统、计算设备及车辆_标致雪铁龙汽车股份有限公司_202310848109.X
    本发明涉及一种用于车辆的红绿灯状态估计方法、系统、计算设备及车辆。该方法包括：基于超宽带定位技术获取车辆轨迹数据；对所述车辆轨迹数据进行处理以获取目标红绿灯对应的目标数据；基于所述目标数据进行状态估计以获取所述目标红绿灯的状态信息。本发明基...
    2025-02-12
  • 一种CaCO3/PVC纳米复合材料及其制备方法
    一种CaCO<Sub>3</Sub>/PVC纳米复合材料及其制备方法_北京化工大学_202310849197.5
    本发明公开了一种高断裂伸长率和抗冲击性CaCO3/PVC纳米复合材料及其制备方法，主要利用纳米CaCO3在聚氯乙烯的单体(氯乙烯)中形成的单分散、透明或半透明的分散体作为原料进行原位聚合，合成纳米...
    2025-02-12
首页 上一页 20 下一页
技术分类

专利交易买卖与高校科技成果转化平台

主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务

Copyright ©龙图腾网 版权所有  营业执照  | 皖ICP备12007331号-2 lotut.com 皖公网安备 34010402703815号 中华人民共和国增值电信业务经营许可证