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申请/专利权人：三星电子株式会社
摘要：一种栅极结构可以包括：第一导电图案；第二导电图案，所述第二导电图案位于所述第一导电图案上并包括掺杂有杂质的多晶硅；以及栅极绝缘图案，所述栅极绝缘图案位于所述第一导电图案的侧壁和所述第二导电图案的侧壁上。包括半导体材料或绝缘材料的覆盖层可以设置在所述第一导电图案下方。所述第一导电图案可以包括金属颗粒。至少一个所述金属颗粒可以从所述覆盖层的上表面延伸到所述第二导电图案的下表面，并且可以接触所述覆盖层的所述上表面和所述第二导电图案的所述下表面。
主权项：1.一种栅极结构，所述栅极结构包括：第一导电图案；第二导电图案，所述第二导电图案位于所述第一导电图案上并包括掺杂有杂质的多晶硅；以及栅极绝缘图案，所述栅极绝缘图案位于所述第一导电图案的侧壁和所述第二导电图案的侧壁上，其中，在所述第一导电图案下方设置有覆盖层，所述覆盖层包括半导体材料或绝缘材料，其中，所述第一导电图案包括金属颗粒，并且其中，至少一个所述金属颗粒从所述覆盖层的上表面延伸到所述第二导电图案的下表面，并且接触所述覆盖层的所述上表面和所述第二导电图案的所述下表面。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 三星电子株式会社 栅极结构和包括其的半导体器件
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