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申请/专利权人：住友电气工业株式会社

摘要：碳化硅半导体器件具备碳化硅衬底，所述碳化硅衬底具有第一主面和与所述第一主面相对的第二主面，所述碳化硅衬底具有漂移区，所述漂移区具有第一导电型，所述碳化硅衬底还具有电场缓和区，所述电场缓和区设置在所述第一主面与所述第二主面之间且具有与所述第一导电型不同的第二导电型，所述漂移区具有：第一区域，位于所述电场缓和区与所述第一主面之间；第二区域，在与所述第一主面平行的面内与所述第一区域邻接；第三区域，位于所述第二区域与所述第二主面之间，与所述第二区域相连，并且在与所述第一主面平行的面内与所述电场缓和区邻接；以及第四区域，位于所述电场缓和区以及所述第三区域与所述第二主面之间，与所述第三区域相连，所述第一区域中所述第一导电型的杂质的有效浓度的第一最大值比所述第二区域中所述第一导电型的杂质的有效浓度的第二最大值高，所述第三区域中所述第一导电型的杂质的有效浓度的第三最大值为所述第二最大值以下，所述第四区域中所述第一导电型的杂质的有效浓度的第四最大值为所述第三最大值以下。

主权项：1.一种碳化硅半导体器件，所述碳化硅半导体器件具备碳化硅衬底，所述碳化硅衬底具有第一主面和与所述第一主面相对的第二主面，所述碳化硅衬底具有：漂移区，具有第一导电型；体区，设置在所述漂移区上，并且具有与所述第一导电型不同的第二导电型；以及源极区，以与所述漂移区隔开的方式设置在所述体区上，并且具有所述第一导电型，在所述第一主面设置有栅极沟槽，所述栅极沟槽由贯通所述源极区以及所述体区而到达所述漂移区的侧面和与所述侧面相连的底面界定，所述碳化硅衬底还具有电场缓和区，所述电场缓和区设置在所述栅极沟槽与所述第二主面之间且具有所述第二导电型，所述漂移区具有：第一区域，位于所述电场缓和区与所述第一主面之间；第二区域，在与所述第一主面平行的面内与所述第一区域邻接；第三区域，位于所述第二区域与所述第二主面之间，与所述第二区域相连，并且在与所述第一主面平行的面内与所述电场缓和区邻接；以及第四区域，位于所述电场缓和区以及所述第三区域与所述第二主面之间，与所述第三区域相连，所述第一区域中所述第一导电型的杂质的有效浓度的第一最大值比所述第二区域中所述第一导电型的杂质的有效浓度的第二最大值高，所述第三区域中所述第一导电型的杂质的有效浓度的第三最大值为所述第二最大值以下，所述第四区域中所述第一导电型的杂质的有效浓度的第四最大值为所述第三最大值以下。

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权利要求：

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