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申请/专利权人：华东光电集成器件研究所
摘要：本发明涉及一种去除MEMS器件上颗粒及异物的方法，包括晶圆光刻工艺、湿法工艺，其特征在于：在晶圆光刻前进行清洗，光刻时对晶圆边缘及步进标记进行涂胶保护，刻蚀后对晶圆表面进行等离子风吹扫以及DHF清洗。本发明优点：在光刻时对晶圆边缘及步进标记位置进行涂胶保护，可以有效的避免因晶圆崩边或标记腔内有硅针等所引入颗粒。在刻蚀后使用等离子风对晶圆表面进行吹扫可以很大程度上的去除结构刻蚀时带来的颗粒，最后使用DHF溶液对晶圆表面进行清洗，不仅可以去除颗粒，还能够有效的避免结构的吸合。
主权项：1.一种去除MEMS器件上颗粒及异物的方法，包括晶圆光刻工艺、湿法工艺，其特征在于：在晶圆光刻前进行清洗，光刻时对晶圆边缘及步进标记进行涂胶保护，刻蚀后对晶圆表面进行等离子风吹扫以及DHF清洗。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 华东光电集成器件研究所 一种去除MEMS器件上颗粒及异物的方法
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