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申请/专利权人：安徽芯塔电子科技有限公司
摘要：本发明公开了一种结型场效应晶体管器件，所述器件包括：Ⅰ－导电型漂移层；Ⅱ+导电型区，形成于Ⅰ－导电型漂移层内，中间位置的Ⅱ+导电型区的深度低于两侧的Ⅱ+导电型区；栅极欧姆接触区，形成于中间位置的Ⅱ+导电型区上，源极欧姆接触区，形成于两侧的Ⅱ+导电型区上；在Ⅰ－导电型为n－导电型时，Ⅱ+导电型即为p+导电型，在Ⅰ－导电型为p－导电型时，Ⅱ+导电型即为n+导电型。器件的栅极位于相邻的两个源极之间，并且栅极的Ⅱ+导电型区比源极的Ⅱ+导电型区更浅，使得器件的雪崩发生在源极的Ⅱ+导电型区。雪崩电流直接通过源极而不经过栅极，保护了栅极驱动电路。同时器件为平面结构，制作简单。
主权项：1.一种结型场效应晶体管器件，其特征在于，所述器件包括：Ⅰ－导电型漂移层；Ⅱ＋导电型区，形成于Ⅰ－导电型漂移层内，中间位置的Ⅱ＋导电型区的深度低于两侧的Ⅱ＋导电型区；栅极欧姆接触区，形成于中间位置的Ⅱ＋导电型区上，源极欧姆接触区，分别形成于两侧的Ⅱ＋导电型区上；在Ⅰ－导电型为n－导电型时，Ⅱ＋导电型即为p＋导电型，在Ⅰ－导电型为p－导电型时，Ⅱ＋导电型即为n＋导电型；所述器件还包括：Ⅰ＋导电型区，形成于两侧的Ⅱ＋导电型区内，Ⅰ＋导电型区的深度低于所在的Ⅱ＋导电型区及中间位置的Ⅱ＋导电型区；两侧的Ⅱ＋导电型区与中间位置的Ⅱ＋导电型区直接相对，相对的区域即为栅控导电沟道；所述器件还包括：Ⅰ＋导电型衬底；形成于Ⅰ＋导电型衬底上的Ⅰ＋导电型缓冲层，Ⅰ－导电型漂移层形成于Ⅰ＋导电型缓冲层上；漏电极，由欧姆接触及压块金属组成，欧姆接触与Ⅰ＋导电型衬底接触，压块金属用于与外电路连接；所述器件还包括：场氧层，位于栅极欧姆接触区与源极欧姆接触区之间，场氧层的厚度高于栅极欧姆接触及源极欧姆接触的高度。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 安徽芯塔电子科技有限公司 一种结型场效应晶体管器件及其制备方法
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