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申请/专利权人：矽力杰半导体技术(杭州)有限公司
摘要：本申请提供一种隔离沟槽的形成方法，包括：形成沟槽于衬底中，其中衬底包括彼此相对的第一表面及第二表面，沟槽从第一表面延伸至衬底内部；形成绝缘层于沟槽的两侧壁及底部，其中位于沟槽的两侧壁及底部的绝缘层界定内部空间；以及填充辅助层于沟槽中，其中，辅助层具有良好的阶梯覆盖能力以完全填充内部空间。透过前述配置，防止金属层的空洞产生，进而实现无空洞的深沟槽隔离结构。
主权项：1.一种隔离沟槽的形成方法，其特征在于，包括：形成沟槽于衬底中，其中所述衬底包括彼此相对的第一表面及第二表面，所述沟槽从所述第一表面延伸至所述衬底内部；以及形成至少两层不同的填充材料于所述沟槽中，以完全填充所述沟槽；其中，形成每层填充材料的台阶覆盖力优于形成其前一层填充材料的台阶覆盖力。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 矽力杰半导体技术(杭州)有限公司 隔离沟槽的形成方法、隔离沟槽
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