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最新专利技术
  • X射线成像系统以及X射线成像方法
    X射线成像系统以及X射线成像方法_通用电气精准医疗有限责任公司_202310847415.1
    本申请提供了一种X射线成像系统以及X射线成像方法。所述X射线成像系统包括相机单元、显示单元、输入单元、曝光组件以及控制单元，相机单元用于获取被检测对象的实时光学图像，显示单元包括用户界面，用户界面用于显示实时光学图像，且在实时光学图像上还包...
    2025-02-09
  • 电子装置
    电子装置_群创光电股份有限公司_202310854022.3
    本公开提供一种电子装置，包含：基板、多条第一信号线、多条第一驱动线、以及多条第一传导线。基板包含作动区。多条第一信号线设置于该作动区，且沿第一方向延伸。多条第一驱动线设置于该作动区，且沿第二方向延伸。第一方向与该第二方向不同。多条第一驱动线...
    2025-02-09
  • 薄膜阵列的制备方法
    薄膜阵列的制备方法_北京京东方技术开发有限公司_202310855064.9
    本公开提供一种薄膜阵列的制备方法，属于薄膜晶体管领域。本公开提供的一种薄膜阵列的制备方法，包括提供一第一衬底，所述第一衬底具有沿其厚度方向相对设置的第一表面和第二表面；提供一第二衬底，所述第二衬底具有沿其厚度方向相对设置的第一表面和第二表面...
    2025-02-09
  • 自对准埋入式栅极金属MOSFET及制造方法
    自对准埋入式栅极金属MOSFET及制造方法_苏州聚谦半导体有限公司_202310855089.9
    本发明公开了一种自对准埋入式栅极金属MOSFET及制造方法，包括：设于衬底上的半导体层，半导体层中自表面向衬底方向依次设有体区和漂移区，体区中设有位于半导体层表面以下的源区；设于源区上方的半导体层表面上的一对第一侧墙；设于一对第一侧墙之间的...
    2025-02-09
  • 自对准屏蔽栅双外延超结MOSFET及制造方法
    自对准屏蔽栅双外延超结MOSFET及制造方法_苏州聚谦半导体有限公司_202310855080.8
    本发明公开了一种自对准屏蔽栅双外延超结MOSFET及制造方法，包括：设于衬底上的半导体层，半导体层中设有自表面向衬底方向分布的源区和体区；设于半导体层表面上的多对侧墙；设于每对侧墙之间的半导体层表面以下的栅沟槽，栅沟槽中自下而上设有屏蔽栅和...
    2025-02-09
  • 自对准双外延超结深槽MOSFET及制造方法
    自对准双外延超结深槽MOSFET及制造方法_苏州聚谦半导体有限公司_202310854611.1
    本发明公开了一种自对准双外延超结深槽MOSFET及制造方法，包括：设于衬底上的半导体层，半导体层中设有自表面向衬底方向分布的源区和体区；设于半导体层表面上的多对侧墙；设于每对侧墙之间的半导体层表面以下的栅沟槽，栅沟槽中设有栅氧层和栅极；设于...
    2025-02-09
  • 自对准离子植入MOSFET及制造方法
    自对准离子植入MOSFET及制造方法_苏州聚谦半导体有限公司_202310854481.1
    本发明公开了一种自对准离子植入MOSFET及制造方法，包括：在衬底上形成具有漂移区和体区的半导体层，在体区中形成多个第一离子植入区，在每个第一离子植入区上的半导体层表面上形成一对第一侧墙，在每对第一侧墙之间形成穿过第一离子植入区的沟槽栅，在...
    2025-02-09
  • 自对准双外延超结MOSFET及制造方法
    自对准双外延超结MOSFET及制造方法_苏州聚谦半导体有限公司_202310854462.9
    本发明公开了一种自对准双外延超结MOSFET及制造方法，包括：设于衬底上的半导体层，半导体层中设有沿半导体层表面分布的多个体区，每个体区中设有一个位于半导体层表面以下的源区；自对准设于每个源区上方的半导体层表面上的一对第一侧墙；自每对第一侧...
    2025-02-09
  • 一种绝缘栅双极型晶体管IGBT的制备方法及绝缘栅双极型晶体管IGBT
    一种绝缘栅双极型晶体管IGBT的制备方法及绝缘栅双极型晶体管IGBT_上海韦尔半导体股份有限公司_202310854410.1
    本发明实施例提供了一种绝缘栅双极型晶体管IGBT的制备方法及绝缘栅双极型晶体管IGBT，本申请实施例通过只在沟槽的内壁沉积多晶硅，这样可以使距离沟槽底部预设距离的衬底中形成具有第二掺杂类型的第三注入区，进而提高IGBT的耐压；同时在具有第一...
    2025-02-09
  • 自对准双外延超结深槽IGBT及制造方法
    自对准双外延超结深槽IGBT及制造方法_苏州聚谦半导体有限公司_202310855027.8
    本发明公开了一种自对准双外延超结深槽IGBT及制造方法，包括：设于衬底上的半导体层，半导体层中设有自表面向衬底方向分布的源区和体区；设于半导体层表面上的多对侧墙；设于每对侧墙之间的半导体层表面以下的栅沟槽，栅沟槽中设有栅氧层和栅极；设于相邻...
    2025-02-09
  • 自对准屏蔽栅双外延超结IGBT及制造方法
    自对准屏蔽栅双外延超结IGBT及制造方法_苏州聚谦半导体有限公司_202310855024.4
    本发明公开了一种自对准屏蔽栅双外延超结IGBT及制造方法，包括：设于衬底上的半导体层，半导体层中设有自表面向衬底方向分布的源区和体区；设于半导体层表面上的多对侧墙；设于每对侧墙之间的半导体层表面以下的栅沟槽，栅沟槽中设有栅氧层和栅极；设于相...
    2025-02-09
  • 自对准离子植入IGBT及制造方法
    自对准离子植入IGBT及制造方法_苏州聚谦半导体有限公司_202310854549.6
    本发明公开了一种自对准离子植入IGBT及制造方法，包括在衬底正面上形成具有漂移区和体区的半导体层，在体区中形成多个第一离子植入区，在每个第一离子植入区上的半导体层表面上形成一对第一侧墙，在每对第一侧墙之间形成穿过第一离子植入区的沟槽栅，在相...
    2025-02-09
  • 自对准双外延超结IGBT及制造方法
    自对准双外延超结IGBT及制造方法_苏州聚谦半导体有限公司_202310854476.0
    本发明公开了一种自对准双外延超结IGBT及制造方法，包括设于衬底正面上的半导体层，半导体层中设有沿半导体层表面分布的多个体区，每个体区中设有一个位于半导体层表面以下的源区；自对准设于每个源区上方的半导体层表面上的一对第一侧墙；自每对第一侧墙...
    2025-02-09
  • 自对准埋入式栅极金属IGBT及制造方法
    自对准埋入式栅极金属IGBT及制造方法_苏州聚谦半导体有限公司_202310854466.7
    本发明公开了一种自对准埋入式栅极金属IGBT及制造方法，包括设于衬底正面上的半导体层，设于半导体层中的体区和漂移区，设于体区中的源区；设于源区上方的半导体层表面上的一对第一侧墙；设于一对第一侧墙之间的半导体层中且穿过源区的沟槽栅；埋入在一对...
    2025-02-09
  • 半导体器件及其制备方法、存储器、存储系统
    半导体器件及其制备方法、存储器、存储系统_长江存储科技有限责任公司_202310858470.0
    本申请提供一种半导体器件及其制备方法、存储器、存储系统，半导体器件包括：铁电层组，包括沿第一方向交叠设置的多个铁电层及至少一介质层，介质层间隔于相邻铁电层之间，至少一铁电层的材料包括铁电材料，介质层的材料与铁电层的材料相异，本申请提供的半导...
    2025-02-09
  • 半导体器件及其制备方法、存储器、存储系统
    半导体器件及其制备方法、存储器、存储系统_长江存储科技有限责任公司_202310856226.0
    本申请提供一种半导体器件及其制备方法、存储器、存储系统，该半导体器件包括铁电层组，铁电层组包括沿第一方向交叠设置的至少一铁电层及至少一反铁电层，本申请通过使用交叠设置的铁电层和反铁电层，减小了铁电层组的矫顽电场，改善了半导体器件的抗疲劳性，...
    2025-02-09
  • 一种坐标映射方法、装置、电子设备和介质
    一种坐标映射方法、装置、电子设备和介质_北京云迹科技股份有限公司_202310853013.2
    本公开涉及智能机器人技术领域，提供了一种坐标映射方法、装置、电子设备和介质。包括：依据摄像头安装位姿，进行地面区域分割；对分割后地面区域图像进行语义目标识别；对所述语义目标进行轮廓点提取；将所述轮廓点像素映射到机器人地图坐标系，以便所述机器...
    2025-02-09
  • 图像处理方法、装置、电子设备及存储介质
    图像处理方法、装置、电子设备及存储介质_腾讯科技(深圳)有限公司_202310856238.3
    本申请实施例提供一种图像处理方法、装置、电子设备及存储介质，至少应用于人工智能领域和图像亮度调节领域，其中，方法包括：提取待处理图像中的至少一像素点的亮度信息，并根据至少一像素点的亮度信息，从预设图像数组中确定适用于所述待处理图像的调整表；...
    2025-02-09
  • 一种交通勤务部署方法、装置、设备及介质
    一种交通勤务部署方法、装置、设备及介质_青岛海信网络科技股份有限公司_202310854923.2
    本申请公开了一种交通勤务部署方法、装置、设备及介质。该方法包括：确定目标区域在各预设时段下对应的聚类事件点，针对位于任一预设时段的各子时段内的聚类事件点数量来确定该预设时段内每种预设类型的事件的高发子时段。并根据勤务对象在任一子时段的感兴趣...
    2025-02-09
  • 一种智能酒店客户服务方法、装置、电子设备和介质
    一种智能酒店客户服务方法、装置、电子设备和介质_北京云迹科技股份有限公司_202310847982.7
    本公开涉及智能机器人技术领域，提供了一种智能酒店客户服务方法、装置、电子设备和介质。包括：发送提问请求给机器人助理；机器人助理利用ChatGPT意图识别功能，识别提问请求中的意图和需求，并查询文档数据库；文档数据库发送查询结果给机器人助理；...
    2025-02-09
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