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申请/专利权人：合肥晶合集成电路股份有限公司
摘要：本申请公开了半导体器件的制备方法、半导体器件以及测试方法，制备方法包括：在半导体层上形成互连结构以及覆盖所述互连结构的钝化层；形成暴露所述互连结构的窗口，所述互连结构暴露出来的表面具有凸起；形成剥离层，所述剥离层至少覆盖所述窗口暴露出来的互连结构的表面，并且包裹所述互连结构表面的凸起；以及去除所述剥离层，同时去除所述剥离层包裹的凸起。根据本发明实施例的半导体器件的制备方法以及测试方法，在互连结构表面形成剥离层，使得剥离层包裹互连结构表面的凸起，进而在去除剥离层的同时去除互连结构表面的凸起，以对互连结构表面进行平坦化。
主权项：1.一种半导体器件的制备方法，包括：在半导体层上形成互连结构以及覆盖所述互连结构的钝化层；形成暴露所述互连结构的窗口，所述互连结构暴露出来的表面具有凸起；形成剥离层，所述剥离层至少覆盖所述窗口暴露出来的互连结构的表面，并且包裹所述互连结构表面的凸起；以及去除所述剥离层，同时去除所述剥离层包裹的凸起。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 合肥晶合集成电路股份有限公司 半导体器件的制备方法、半导体器件以及测试方法
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