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申请/专利权人：北京超弦存储器研究院
摘要：一种3D堆叠的半导体器件及其制造方法、电子设备，所述半导体器件包括：多个存储单元，分布于不同层、沿垂直于衬底方向堆叠且周期性分布；存储单元包括晶体管；晶体管包括栅电极、半导体层、栅极绝缘层；栅电极沿垂直于衬底方向延伸；沿垂直于衬底方向分布的一列存储单元的多个晶体管的多个半导体层间隔设置；字线，贯穿不同层存储单元并且沿垂直于衬底方向延伸；沿垂直于衬底方向交替分布的第一绝缘层和导电层；贯穿各绝缘层和各导电层的通孔，通孔中从内到外依次分布有字线、栅极绝缘层、环绕栅极绝缘层侧壁不同区域且沿垂直于衬底的方向延伸的多个半导体层；通孔的平均孔径为5nm至70nm。该制造方法可以降低半导体器件的生产成本。
主权项：1.一种3D堆叠的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述3D堆叠的半导体器件包括：沿垂直于衬底的方向堆叠分布的不同层存储单元，字线；每一层包括多列存储单元，每个存储单元包括晶体管；所述字线贯穿所述不同层存储单元；所述制造方法包括：在衬底上依次交替沉积第一绝缘层和导电层，得到最上层为第一绝缘层的堆叠结构；对最上层的所述第一绝缘层进行图案化刻蚀，在最上层的所述第一绝缘层中刻蚀形成沿第一方向延伸的第一沟槽，所述第一沟槽将最上层的所述第一绝缘层间隔为间隔分布并且沿所述第一方向延伸的多个绝缘区；在所述第一沟槽中交替沉积第二绝缘层和掩膜版；对所述堆叠结构进行图案化刻蚀，在相邻两个所述掩膜版之间形成沿第二方向延伸并且贯穿所述绝缘区的第二沟槽，所述第二沟槽将所述绝缘区间隔为沿所述第一方向间隔分布的多个子绝缘区，所述第二沟槽贯穿各所述导电层；所述第一方向与所述第二方向相交叉；刻蚀去除所述子绝缘区的第一绝缘层，形成朝向所述衬底延伸的多个孔；沿着所述孔的内壁对交替设置的所述第一绝缘层和所述导电层进行刻蚀，使所述孔延伸形成贯穿各所述导电层的通孔；在所述通孔中依次沉积半导体层、栅极绝缘层和栅电极层；其中，所述对最上层的所述第一绝缘层进行图案化刻蚀包括：采用电子束光刻法形成光刻图案；和或所述对所述堆叠结构进行图案化刻蚀包括：采用电子束光刻法形成光刻图案。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 北京超弦存储器研究院 3D堆叠的半导体器件及其制造方法、电子设备
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