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申请/专利权人：株式会社力森诺科
摘要：一种半导体装置的制造方法，其具有：准备在其中一个主面具有多个电极的半导体晶圆，将具备包含基材及压敏胶黏剂层的背面研磨带、以及形成于压敏胶黏剂层上的黏合剂层的半导体晶圆加工用胶黏膜贴附于所述半导体晶圆的设置有电极的一侧，从而获得层叠体的工序；磨削半导体晶圆而对半导体晶圆进行厚度薄化的工序；对经厚度薄化的半导体晶圆及黏合剂层进行切片而单片化为带黏合剂层的半导体芯片的工序；以及将带黏合剂层的半导体芯片的电极与其他半导体芯片或配线电路基板的电极电连接的工序，背面研磨带的厚度为75μm～300μm，压敏胶黏剂层的厚度为黏合剂层的厚度的3倍以上。
主权项：1.一种半导体装置的制造方法，其具有：准备在其中一个主面具有多个电极的半导体晶圆，将具备包含基材及形成于该基材上的压敏胶黏剂层的背面研磨带、以及形成于所述压敏胶黏剂层上的黏合剂层的半导体晶圆加工用胶黏膜自所述黏合剂层侧贴附于所述半导体晶圆的设置有所述电极的一侧，从而获得层叠体的工序；磨削所述半导体晶圆的与设置有所述电极的一侧相反的一侧而对所述半导体晶圆进行厚度薄化的工序；对所述经厚度薄化的半导体晶圆及所述黏合剂层进行切片而单片化为带黏合剂层的半导体芯片的工序；以及将所述带黏合剂层的半导体芯片的电极与其他半导体芯片或配线电路基板的电极电连接的工序，所述黏合剂层的厚度为5～20μm，所述背面研磨带的厚度为75μm～300μm，所述压敏胶黏剂层的厚度为所述黏合剂层的厚度的3倍以上。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 株式会社力森诺科 半导体装置的制造方法及半导体晶圆加工用胶黏膜
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